Драйвер для MOSFET и IGBT | Принцип выбора и расчет. Часть 2.

ElectronicsClub August 25, 2021
Video Thumbnail
ElectronicsClub Logo

ElectronicsClub

@electronicsclub1

About

Рад приветствовать Вас на канал ElectronicsClub! Данный канал предназначен преимущественно для начинающих электронщиков и радиолюбителей. Основной целью и отличительной особенностью канала ElectronicsClub является максимально подробное описание устройства и принципа работы электронных элементов, отдельных узлов и устройств в целом. Современная электроника уже немыслима без микропроцессоров и микроконтроллеров. Поэтому даже начинающему электронщику следует научиться их программировать. В связи с этим на данном канале также приводятся уроки по программированию микроконтроллеров. В общем, канал имеет три направления, которые тесно связаны между собой и дополняют друг друга. Одно направление посвящено элементарным основам электроники. Второе – программированию микроконтроллеров. Третье – разработке электронных устройств. Добро пожаловать в увлекательный мир электроники! Дмитрий Забарило

Video Description

Рассмотрено принцип работы полевого транзистора MOSFET. Основное внимание сосредоточенно на процессах, протекающих при открывании и закрывании транзистора. Время включения MOSFET состоит из задержки времени на включение и времени нарастания. Время выключения полевого транзистора состоит из суммы времен спада и задержки на выключение. Эти параметры определяются величинами паразитных емкостей и емкости затвора, которые в свою очередь часто выражают в величине заряда. Величины емкостей и зарядов MOSFET приводятся в даташите на транзистор. В данном видео рассмотрены основные параметры полевых транзисторов, приводимых в даташите. Эти параметры служат основной точкой для расчета и выбора драйвера для MOSFET и IGBT. #MOSFET #IGBT #драйвер #electronicsclub

You May Also Like